بررسی آثر آلائیدگی mn بر نیمرسانای zno
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سیستان و بلوچستان
- نویسنده حمدالله پولادیان
- استاد راهنما محمود ذوالفقاری
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1390
چکیده
در این پایان نامه به بررسی اثر آلائیدگی منگنز بر نیمرسانای اکسید روی پرداخته شده است. ابتدا نانوذرات اکسید روی آلائیده شده با منگنز به روش همرسوبی تهیه شده اند. سپس نمونه های بالک اکسید روی آلائیده شده با منگنز و نمونه های بالک خالص اکسید روی به روش واکنش حالت جامد تهیه شده اند. از نمونه های نانو طیف های پراش اشعه ایکس، پراکندگی رامان، میکروسکوپ الکترونی روبشی، و طیف مرئی-فرابنفش و طیف تبدیل فوریه مادون قرمز گرفته شده است. از نمونه های بالک نیز طیف های مرئی-فرابنفش و تبدیل فوریه مادون قرمز گرفته شده است. بررسی های حاصل از پراکمدگی رامان نشان می دهد که یونهای مغناطیسی منگنز جانشین یونهای روی در شبکه میزبان اکسید روی شده اند و همچنین بیان می کند که نمونه ها ساختار هگزاگونال دارند. از طیف رامان می توان این نتیجه را گرفت که نیمرسانای نوع p تولید شده است که این را می توان از وجود نیتروژن در نمونه که به نوع p بودن اشاره می کند استنتاج کرد. طیف مرئی- فرابنفش نشان می دهد که گاف نواری نمونه های اکسید روی آلائیده شده در مقایسه با نمونه های اکسید روی خالص کاهش یافته اند که این به این معنی است که نمونه های آلائیده شده فوتوکاتالیست های خوبی تحت تابش نور مرئی هستند. الگوهای پراش اشعه ایکس نیز بیان می کند که نمونه ها در ساختار شش گوشی قرار دارند و فاز اکسید روی نیز غالب است. دو فاز ثانویه نیز تشکیل شده است که می تواند دلیل بر فرومغناطیس بودن نانوذرات باشد.
منابع مشابه
Ferromagnetic ordering in Mn-doped ZnO nanoparticles
Zn1 - x Mn x O nanoparticles have been synthesized by hydrothermal technique. The doping concentration of Mn can reach up to 9 at% without precipitation or secondary phase, confirmed by electron spin resonance (ESR) and synchrotron X-ray diffraction (XRD). Room-temperature ferromagnetism is observed in the as-prepared nanoparticles. However, the room-temperature ferromagnetism disappears after ...
متن کاملContinuous and Localized Mn Implantation of ZnO
We present results derived from continuous and localized 35 keV (55)Mn(+) ion implantations into ZnO. Localized implantations were carried out by using self-ordered alumina membranes as masks leading to ordered arrays of implanted volumes on the substrate surfaces. Defects and vacancies in the small implantation volumes of ZnO were generated due to the implantation processes besides the creatio...
متن کاملHopping conduction in Mn-doped ZnO
The dc and ac conductivities of Mn-doped ZnO were investigated at temperatures from 10 to 100 K. The temperature dependence of the dc conductivity from 10 to 100 K shows an abrupt change at ;18 K, manifesting a much lower activation energy for conduction below 18 K. From 10 to 18 K, the ac conductivity, sac(v), varies as sac(v)5Av s in the frequency range from 10 to 10 Hz with s in the range of...
متن کاملCorrelation between Mn oxidation state and magnetic behavior in Mn/ZnO multilayers prepared by sputtering
Compositional, microstructural, and magnetic characterization of ZnO 30 Å /Mn x n multilayers prepared by sputtering is presented to study the observed ferromagnetism in the Mn-ZnO system. The nominal Mn layer thickness, x, is varied from 3 to 60 Å, while the number of bilayers, n, is increased to maintain the total amount of Mn constant. Microstructure information was deduced from x-ray reflec...
متن کاملSynthesis and Characterization of Mn-Doped ZnO Nanocrystals.
We report the synthesis and characterization of several sizes of Mn-doped ZnO nanocrystals, both in the free-standing and the capped particle forms. The sizes of these nanocrystals could be controlled by capping them with polyvinylpyrollidone under different synthesis conditions and were estimated by X-ray diffraction and transmission electron microscopy. The absorption properties of PVP-capped...
متن کاملDielectric relaxation of shallow donor in polycrystalline Mn-doped ZnO
The dielectric properties of Mn-doped ZnO ceramics with electrically active grain boundaries at low temperatures of 10–70 K were investigated by admittance spectroscopy. It was observed that the dielectric relaxation of the main shallow donors, zinc interstitial, in these samples occurred in the temperature range of 20–50 K. Based on theoretical analysis, an expression for the admittance of an ...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سیستان و بلوچستان
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023